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硅和锗体内少数载流子寿命测定仪
产品型号:
产品产地:深圳
发布日期:2010.5.4
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关 键 词:硅和锗体内少数载流子寿命测定仪
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详细介绍

硅和锗体内少数载流子寿命测定仪

少数载流子迁移率(μ):0.5~5000c㎡/V·s

表观寿命(τF):0.1~5000μS